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[期刊论文] 作者：杨端良,,
来源：中国校外教育 年份：2011
随着新课程改革的逐步深入,突出学生自主学习已成为主流。在这种主流的影响下,2010年我市教育局提出了"六模块建构式"课堂教学模式。该教学模式的特点,是把教师的主导作用与...
[期刊论文] 作者：杨端良,
来源：教育教学论坛·上旬 年份：2011
摘要：我们教师在数学教学中必须充分利用学生的生活经验，设计生动有趣、直观形象的数学教学活动，激发学生学习数学的兴趣，让学生在生动具体的情境中掌握基本的数学知识和技能。 关键词：生活；数学；生成；经验 我们要把握数学与生活的关系，必须明确：数学源于生活，但......
[期刊论文] 作者：杨端良,,
来源：中国校外教育 年份：2012
大量研究表明，学生的学习成绩与学习风格具有重要的关联性，当教学环境、教学安排和教学策略与学生的学习风格相匹配，能提高学生的注意力和学习能力，从而提高学生的学习效率，使学生......
[期刊论文] 作者：杨端良,,
来源：新课程(小学) 年份：2010
《基础教育课程改革纲要(试行)》明确指出:在教学过程中,教师应尊重学生的人格,关注个体差异,满足不同学生的学习需要,创设能引导学生主动参与的教育环境,激发学生的学习积极...
[期刊论文] 作者：杨端良,,
来源：语文世界(小学生之窗) 年份：2015
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[期刊论文] 作者：杨端良,陈堂胜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文报告了在注Si~+的GaAs有源层上进行B~+注入实现隔离的实验研究.结果表明,低剂量和高剂量的B~+注入都能形成高阻区,但低剂量注入形成的高阻区具有更好的隔离特性.本文还讨...
[期刊论文] 作者：钮利荣,杨端良,
来源：微电子技术 年份：2000
对Ｓｉ＾＋注入ＧａＡｓ的前后及其退火的前后用和不用ＳｉＯ２包封进行了对比实验。包封退火大大提高了注入离子的激活率；在包封退火的情况下，光片注入的要比贯穿注入的载流子分布窄。所以，光片注入后包......
[期刊论文] 作者：吴禄训,杨端良,徐惠建,李大年,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
本文报道了在气体离子源中Be~+束流的引出,比较了Be~+注入GaAs的常规炉子热退火与红外快速退火行为,给出了Be~+注入GaAs和InGaAs形成的pn结特性。实验表明,用Be~+注入化合物...
[期刊论文] 作者：吴禄训,杨端良,徐惠建,李大年,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
本文研究了GaAs MESFET有源层和n~+层Si~+注入的红外快速退火行为。用该技术获得的有源层和n~+层的载流子浓度与迁移率分别为1～2×10~(17)cm~3和3000～3500cm~2/V·s以及1～2×10~...
[期刊论文] 作者：钮利荣,徐筱乐,蒋幼泉,杨端良,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的GaAs全离子注入技术进行了实验比较和讨论,认为76 mmGaAs圆片经光片注入Si离子后包封40 nm SiO2+60 nm SiN进行快速退火再进行B离子...
[期刊论文] 作者：钮利荣,杨端良,李仲朋,马式满,
来源：微电子技术 年份：2000
对Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ的前后及其退火的前后用和不用ＳｉＯ２包封进行了对比 实验。包封退火大大提高了注入离子的激活率；在包封退火的情况下，光片注入 的要比贯穿注入的载流子分布窄。所以，光片注入后......
[会议论文] 作者：钮利荣,徐筱乐,蒋幼泉,杨端良,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO+60nm SiN进行快速退火的工艺方法先进,表面物理...
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