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[学位论文] 作者：杨翰琪,
来源：东南大学 年份：2018
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[期刊论文] 作者：杨翰琪, 刘小红, 吕康, 魏家行, 孙伟锋,,
来源：电子器件 年份：2018
研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退化趋势的原因。结合实测数据并以实际样品为...
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