搜索筛选:
搜索耗时3.6049秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：张银桥,蔡建九,张双翔,张永,林志园,王向武,陈开建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
采用组分跳变和低温大失配缓冲层技术在GaAs衬底上外延了In0.3Ga0.7As材料。测试结果表明,采用组分跳变缓冲层生长的In0.3Ga0.7As主要依靠逐层间产生失配位错来释放应力,并导...
相关搜索：
