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[会议论文] 作者：柯三黄,
来源：第17届全国凝聚态理论和统计物理会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：柯三黄,
来源：中国物理学会2011年秋季学术会议 年份：2011
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[期刊论文] 作者：柯三黄,黄美纯,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1995
采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡｌＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价带偏移值的影响。......
[期刊论文] 作者：柯三黄,黄美纯,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1995
建议用一种基于超晶格自洽超原胞计算的形变势方法来确定ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变异质界面的能带排列情况。该方法全面考虑了界面电荷、弹性应变以及自旋－轨道耦合等因素对能带排列的影响。结果表......
[期刊论文] 作者：柯三黄,王仁智,
来源：半导体学报 年份：1992
本文在LMTO-ASA 自治能带计算的基础上,采用冻结声子模型,对C、Si、Ge、Sn在A轴和△轴的光学声子形变势(ODPs)进行了第一原理计算,并考察了自治电荷密度计算中所取用的特殊k...
[期刊论文] 作者：柯三黄,王仁智,
来源：发光学报 年份：1996
平均键能模型是一种建立的在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法，本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析，并给予其完整的物理解释，通过与ＴＢ“ｐｉｎｎｅｄ”模型......
[期刊论文] 作者：柯三黄,黄美纯,
来源：半导体学报 年份：1996
本文应用平均键能理化和开势方法对理想的Ｓｉ－ＧａＡｓ（００１）异质界面的价带不连续性进行了理论确定，全面分析了应变的静流体分量和单轴分量所起的作用，以及阳离子浅ｄ轨道的影响，得出了Ｓｉ－ＧａＡｓ（００１）系统的各价带......
[期刊论文] 作者：王仁智,柯三黄,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1995
对于包含芯态的全电子势的ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，建议用一种虚晶近拟的合金能带计算方法，文中差重研究该方法的能带自洽代计算方案，在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ合金能带计算中获得合理的虚晶近拟的能带结构。......
[期刊论文] 作者：柯三黄,黄美纯,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1995
采用内部求和空ｄ轨道处理下的线性丸盒轨道方法，对以ＩｎＡｓ为衬底和以ＣａＡｓ为衬底以及ＩｎＡｓ层和ＧａＡｓ层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格（ＩｎＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１），（ｎ＝１，２，３，４，５）的电子结构进行了全面的第一性原理计算，得出了其能带结构......
[期刊论文] 作者：柯三黄,王仁智,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1996
把原子集团展开方法同平均键能方法相结合建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法。应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ为衬底的两种不同的应谈状态下的价带偏移随......
[会议论文] 作者：柯三黄,黄美纯,
来源：第七届全国凝聚态理论和统计物理学术会议 年份：1993
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[会议论文] 作者：郑晓,柯三黄,杨伟涛,
来源：中国化学会第二十七届学术年会 年份：2010
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[期刊论文] 作者：王仁智,黄美纯,柯三黄,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1991
由半导体的LMTO能带计算平均健能E1,并以平均键能E1作为参考能级计算共阴离子异质结的△E值.在LMTO能带计算中采用不同处理d态的计算方法,系统地研究d...
[期刊论文] 作者：黄美纯,柯三黄,王仁智,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1993
利用冻结势LMTO方法计算应变层超晶格(SLS)的电子结构,发现平均键能E_m主要由界面电荷转移效应决定,而E_m和价带顶能量E_m之差△E_n~m主要由应变效应决定,用应变材料的E_m为...
[期刊论文] 作者：柯三黄,黄美纯,王仁智,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1995
采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡＩＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价带偏移值的影响．结果表明，它们的价带偏移值具......
[期刊论文] 作者：柯三黄,王仁智,黄美纯,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1996
把原子集团展开方法同平均键能方法相结合，建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法．应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ为衬底的两种不同的应变状态下的价带偏移（△Ｅｖ）随......
[期刊论文] 作者：柯三黄,王仁智,黄美纯,
来源：半导体学报 年份：2004
本文在LMTO-ASA 自治能带计算的基础上,采用冻结声子模型,对C、Si、Ge、Sn在A轴和△轴的光学声子形变势(ODPs)进行了第一原理计算,并考察了自治电荷密度计算中所取用的特殊k...
[期刊论文] 作者：柯三黄,黄美纯,王仁智,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1995
建议用一种基于超晶格自洽超原胞计算的形变势方法来确定ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变异质界面的能带排列情况。该方法全面考虑了界面电荷、弹性应变以及自旋－轨道耦合等因素对能带排列的影响。结果表......
[期刊论文] 作者：柯三黄,王仁智,黄美纯,
来源：物理学报 年份：1994
对处于不同应变状态下的超晶格（ＧａＰ）＿１（ＧａＡｓ）＿１（００１），（ＩｎＰ）＿ｎ（ＩｎＡｓ）＿ｎ（００１）（ｎ＝１，３）的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶Ｅ＿ｖ和平均键能Ｅ＿ｍ的行为，对以Ｅ＿ｍ为能量参考的应变层超晶格价带边不连续值计......
[期刊论文] 作者：柯三黄,黄美纯,王仁智,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1995
采用内部求和空ｄ轨道处理下的线性丸盒轨道方法，对以ＩｎＡｓ为衬底和以ＧａＡｓ为衬底以及ＩｎＡｓ层和ＧａＡｓ层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格（ＩｎＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００ｌ），（ｎ＝１，２，３，４，５）的电子结构进行了全面的第一性原理计算，得出了其能带结构......
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