搜索筛选:
搜索耗时2.1206秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 17 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：柯少颖,,
来源：云南大学 年份：2015
半导体纳米岛(Ge、InAs)由于具有三维限制效应、库伦阻塞效应、声子瓶颈效应等独特的性质在高效光电子与微电子器件领域有着非常重要的应用。对于IV族半导体材料,在Si基衬底...
[学位论文] 作者：柯少颖,
来源：厦门大学 年份：2019
...
[期刊论文] 作者：柯少颖,王茺,杨宇,
来源：材料导报 年份：2014
针对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜太阳能电池在发展过程中所面临的问题,阐述了氢化硅锗(SiGe∶H)薄膜在太阳能电池制备方面的优越性及其最新研究进展,总结了提高SiGe∶H薄膜太阳...
[期刊论文] 作者：柯海鹏,欧雪雯,柯少颖,
来源：人工晶体学报 年份：2020
本文采用以蒙特卡罗方法为基础的SRIM软件模拟He离子注入对Ge中缺陷行为的影响,为高质量GOI(绝缘体上Ge)材料的制备提供理论指导。本文主要模拟了He离子入射角度、能量以及注...
[期刊论文] 作者：王海澎,柯少颖,杨杰,王茺,杨宇,,
来源：物理学报 年份：2014
以自组装聚苯乙烯小球(PS)单层膜为掩膜,利用Au对Si表面的催化氧化作用以及KOH溶液对单晶Si的各向异性腐蚀特性,在Si(100)面上制备了一系列尺寸小于100 nm有序可控的Si纳米孔...
[期刊论文] 作者：柯少颖, 王茺, 潘涛, 何鹏, 杨杰, 杨宇,,
来源：物理学报 年份：2014
利用一维微电子-光电子结构分析软件(AMPS-1D)在AM1.5G(100 mW/cm2)、室温条件下模拟和比较了有、无渐变带隙氢化非晶硅锗(a-SiGe:H)薄膜太阳能电池的各项性能.计算结果表明:...
[期刊论文] 作者：张璐,柯少颖,汪建元,黄巍,陈松岩,李成,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2021
硅基光电集成回路是信息时代最具影响力的核心技术之一,由硅基光源、光电探测器、光调制器等模块组成.硅材料是微电子集成电路的基石,然而在光电集成方面却遇到了瓶颈.首先,由于硅是间接带隙材料,其发光效率极低,因此难以应用于硅基高效光源的研制.其次,硅在近......
[会议论文] 作者：柯少颖,林绍铭,黄巍,李成,陈松岩,
来源：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2016
...
[会议论文] 作者：柯少颖,林绍铭,黄巍,李成,陈松岩,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
Si-Si直接键合作为微电子领域的一项基本工艺越来越被关注.Si-Si直接键合是将两片镜片抛光的Si片经过表面清洗、活化处理、室温贴合及高温热处理等手段而实现晶片一体化的技术,虽然键合技术起步较晚,但发展极为迅速,其原理、方法和实验设备比较简单,而且不受键......
[期刊论文] 作者：佘实现,张烨,黄志伟,周锦荣,柯少颖,
来源：光子学报 年份：2022
为从根本上阻断InGaAs/Si之间的失配晶格,获得低噪声的InGaAs/Si雪崩光电二极管,理论上在InGaAs/Si键合界面插入超薄a-Si键合层,彻底隔断键合界面异质晶格,同时保证InGaAs吸收层和Si倍增层超高的晶体质量和良好的电学传输.模拟了a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩......
[期刊论文] 作者：叶余杰, 柯少颖, 吴金镛, 李成, 陈松岩,,
来源：中国光学 年份：2019
为了实现高效的微光探测以及满足量子通信的需求,需要研发制备具有高增益、低噪声和高带宽的高性能红外探测器,基于硅衬底材料的锗硅雪崩探测器(Avalanche Photodiode,APD)被...
[期刊论文] 作者：彭强,何盛泉,任良斌,李杏莲,柯少颖,
来源：光子学报 年份：2020
Si/Si键合可以在低温下获得高强度、零气泡的键合片,但极难获得无氧化层的键合界面,因此难以应用于光电子领域,本文从理论上研究了Si/Si键合界面氧化层厚度对键合Si/Si p-n结...
[期刊论文] 作者：彭强,柯海鹏,李杏莲,林鑫,柯少颖,周锦荣,
来源：硅酸盐学报 年份：2021
由于Ge/Si存在4.2％晶格失配,Si基外延Ge中的穿透位错密度(TDD)极高,导致器件暗电流偏大.低温Ge/Si异质键合可以通过抑制失配位错传播降低Ge薄膜中的TDD,在高质量大失配薄膜制...
[会议论文] 作者：王茺,王荣飞,柯少颖,邱锋,杨杰,胡伟达,杨宇,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
利用传统、简易的离子束溅射技术,在不同Si单晶衬底温度条件(650,700和750℃)下,自组织生长了一系列Ge/Si量子点材料。分别利用原子力显微的轻敲和导电接触模式,我们研究...
[会议论文] 作者：王茺,柯少颖,杨杰,胡伟达,邱锋,王荣飞,杨宇,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
利用传统、简易的离子束溅射技术,在不同Si单晶衬底温度条件(650,700和750℃)下,自组织生长了一系列Ge/Si量子点材料。分别利用原子力显微的轻敲和导电接触模式,我们研究了Ge量子点的表面形貌、电流分布以及单量子点的电学性质。......
[期刊论文] 作者：何盛泉,柯海鹏,严莲,李杏莲,柯少颖,李东珂,
来源：光学学报 年份：2020
Ge/Si异质键合技术作为一种新型的通用材料制备工艺,在制备高质量Si基Ge薄膜方面展现出巨大的潜力,是研制高性能Ge/Si光电器件的备选方案之一.现阶段主流的直接键合和等离子...
[期刊论文] 作者：周锦荣,连仕珑,邹力伟,柯少颖,陈少鹏,曹沛资,喻文雨,魏搏涛,
来源：闽南师范大学学报（自然科学版） 年份：2022
以项目案例形式介绍一种以HT32F52352单片机为控制核心,并基于NB-IoT技术的云服务智能安全用电装置的设计方法.该装置通过BL0942电能计量芯片实现了对交流电压、电流、有功功率、功率因数、频率等电能参数的测量.系统采用移远公司的NB-IoT无线通信模块BC26将采......
相关搜索：
