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[期刊论文] 作者:柯昀洁,, 来源:沈阳工程学院学报(自然科学版) 年份:2018
电声技术作为一门新兴的交叉性、应用型学科,融合了电学、声学和声电转换原理等相关学科成果,着重解决声波的发生、接收、变换、处理、加工、记录、重放及传播等问题,与日常...
[学位论文] 作者:柯昀洁,, 来源:大连理工大学 年份:2013
发光二极管(LED),自发现之初就体现出了巨大的应用潜能。尤其在Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料发现后,LED有了高效蓝、绿光发光材料,应用范围进一步得到了扩展。目前,氮化镓(GaN)基...
[期刊论文] 作者:柯昀洁, 来源:中小企业管理与科技·上旬刊 年份:2017
【摘 要】随着社会的发展,新材料器件越来越多的应用于社会生活中。论文在p-GaN衬底上利用水热法制备了n-ZnO/p-GaN异质结构,制备的ZnO具有多晶纤锌矿结构,在380nm具有明显的紫外发光峰,在正向偏压下,该结构发出蓝紫光。  【Abstract】With the development of soc......
[期刊论文] 作者:柯昀洁,, 来源:数字化用户 年份:2017
随着无线通信技术的飞速发展,远距离传输的语音质量成为急需解决的难题,静噪技术也因此成为无线通信领域的研究热点.本文着眼静噪检测理论,梗概介绍静噪电路的原理、分类以及...
[期刊论文] 作者:宋世巍,柯昀洁, 来源:沈阳工程学院学报:自然科学版 年份:2018
采用GaN材料常用的生长设备金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统,以蓝宝石为衬底,在GaN上沉积Al GaN薄膜。通过调整MOCVD中喷淋头与基座间的距离,探讨喷淋头高度对AlGaN薄膜生长...
[期刊论文] 作者:毕长栋, 张方辉, 靳宝安, 柯昀洁,, 来源:陕西科技大学学报(自然科学版) 年份:2011
通过控制大功率白光LED荧光粉的点粉量来检测大功率白光LED的发光效率,同时讨论了不同电流对LED光效的影响.本实验中LED白光的产生是通过蓝光LED芯片加黄光荧光粉YAG实现的,...
[期刊论文] 作者:宋世巍,张东,赵琰,王存旭,柯昀洁,李昱材,王健,王刚,丁艳, 来源:沈阳师范大学学报:自然科学版 年份:2016
Ga面GaN基器件结构中存在巨大的极化场,引起载流子溢流等问题,严重的损害了器件的性能。而N面GaN则可以使极化场反转,从而解决这些问题。详细研究了在C面SiC衬底上N面GaN的MO...
[期刊论文] 作者:宋世巍,张东,赵琰,王存旭,柯昀洁,李昱材,王健,王刚,丁艳, 来源:沈阳师范大学学报(自然科学版) 年份:2016
Ga面GaN基器件结构中存在巨大的极化场,引起载流子溢流等问题,严重的损害了器件的性能.而N面GaN则可以使极化场反转,从而解决这些问题.详细研究了在C面SiC衬底上N面GaN的MOCV...
[期刊论文] 作者:柯昀洁,梁红伟,申人升,宋世巍,夏晓川,柳阳,张克雄,杜国同,, 来源:发光学报 年份:2013
在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射...
[期刊论文] 作者:宋世巍,张东,赵琰,王存旭,柯昀洁,李昱材,王健,王刚,丁艳波,王晗,刘莉莹,郭瑞,, 来源:沈阳师范大学学报(自然科学版) 年份:2016
Ga面GaN基器件结构中存在巨大的极化场,引起载流子溢流等问题,严重的损害了器件的性能。而N面GaN则可以使极化场反转,从而解决这些问题。详细研究了在C面SiC衬底上N面GaN的MO...
[会议论文] 作者:Hongwei Liang,Yunjie Ke,Rensheng Shen,Shiwei Song,Xiaochuan Xia,Yang Liu,Kexiong Zhang,柯昀洁,梁红伟,申人升,宋世巍, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)...
[会议论文] 作者:Yunjie Ke,柯昀洁,梁红伟,Hongwei Liang,Rensheng Shen,申人升,Shiwei Song,宋世巍,Xiaochuan Xia,夏晓川,Yang Liu,柳阳,张克雄,Kexiong, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明,随着高度的增加,量子阱的......
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