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[学位论文] 作者：柳奕天,
来源：湘潭大学 年份：2021
碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料,有着宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率等特点,是发展大功率、高频高温以及抗强辐射等技术的关键。电子器件在空间环境工作期间,会受到空间辐照粒子以及射线的影响,导致器件性能退化,从而影响航天器在轨服役的可靠性。迄今......
[期刊论文] 作者：顾朝桥,郭红霞,潘霄宇,雷志峰,张凤祁,张鸿,琚安安,柳奕天,
来源：物理学报 年份：2021
以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析仪测试了器件的直流参数,研究了器件辐照敏感参数在辐照和退火过程中的变化规律,分析了电压、温度对器件辐照退化产生影响的原因,......
[期刊论文] 作者：张鸿,郭红霞,潘霄宇,雷志峰,张凤祁,顾朝桥,柳奕天,琚安安,欧阳晓平,
来源：物理学报 年份：2021
利用蒙特卡罗方法,模拟计算了不同线性能量传输(liner energy transfer,LET)的重离子在碳化硅中的能量损失,模拟结果表明:重离子在碳化硅中单位深度的能量损失受离子能量和入射深度共同影响;能量损失主要由初级重离子和次级电子产生,非电离能量损失只占总能量损......
[期刊论文] 作者：刘晔,郭红霞,琚安安,张凤祁,潘霄宇,张鸿,顾朝桥,柳奕天,冯亚辉,
来源：物理学报 年份：2022
本文利用60 MeV质子束流,开展了NAND （not and） flash存储器的质子辐照实验,获取了浮栅单元的单粒子翻转截面,分析了浮栅单元错误的退火规律,研究了质子辐照对浮栅单元的数据保存能力的影响.实验结果表明,浮栅单元单粒子翻转截面随质子能量的升高而增大,随质子注......
[期刊论文] 作者：琚安安,郭红霞,丁李利,刘建成,张凤祁,张鸿,柳奕天,顾朝桥,刘晔,冯亚辉,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2022
基于中国原子能科学研究院的HI-13加速器，利用不同线性能量传输（LET）值的重离子束流对4款来自不同厂家的90 nm特征尺寸NOR型Flash存储器进行了重离子单粒子效应试验研究，对这些器件的单粒子翻转（SEU）效应进行了评估。试验中分别对这些器件进行了静态和动态测试，得到了......
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