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[学位论文] 作者：梁兴勃,,
来源： 年份：2008
近年来,纳米金刚石膜（NDF）的生长技术、生长机理及其应用引起了人们巨大的研究热情,成为了目前CVD金刚石膜研究中的热点之一。金刚石具有5.47eV的宽禁带和80meV的高激子束缚能,...
[学位论文] 作者：梁兴勃,
来源：浙江大学 年份：2015
本文研究开发具有自主知识产权的可用于0.18-0.13μm集成电路用200mm硅抛光片及外延片的产业化技术，针对200mm硅片产品制备过程中的关键工艺技术进行了系统性的研究和实验分析...
[期刊论文] 作者：李慎重, 梁兴勃, 田达晰, 马向阳, 杨德仁,
来源：中国表面工程 年份：2020
在外延片的生产中，有时会遇到外延硅片在洁净室中暴露一段时间后产生雾状宏观缺陷（即所谓的时间雾）的不利情形。然而，关于外延硅片表面时间雾的成因目前尚不清楚。通过探究常压化学气相外延工艺生长的外延硅片表面时间雾的形成条件，发现外延硅片取出之前生长腔和传递......
[期刊论文] 作者：赵泽钢,田达晰,赵剑,梁兴勃,马向阳,杨德仁,,
来源：物理学报 年份：2015
单晶硅片的压痕位错在一定温度下的滑移距离反映了硅片的机械强度.压痕位错的滑移是受压痕的残余应力驱动的,因此研究残余应力与位错滑移之间的关系具有重要的意义.本文首先...
[期刊论文] 作者：张越, 赵剑, 董鹏, 田达晰, 梁兴勃, 马向阳, 杨德仁,
来源：物理学报 年份：2015
对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.研究表明:在相同的热氧化条件下,重掺锑直拉...
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