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[学位论文] 作者：梁广飞,
来源：中国科学院大学 年份：2013
以GeSbTe和AgInSbTe为代表的相变薄膜是目前商品化可擦重写光盘（如CD-RW、DVD-RW和BD-RE）和研发中的相变随机存储器(PCRAM)的主要记录介质，其基本的结构、光电性质和相变特性虽...
[期刊论文] 作者：翟凤潇,梁广飞,王阳,吴谊群,,
来源：光学学报 年份：2012
利用磁控溅射法在K9玻璃基底上制备了Ag8In14Sb55Te23(AIST)纳米薄膜,并利用激光抽运-探测技术测量了薄膜的时间分辨反射率变化特性。研究结果表明,在合适能量密度的单脉冲纳...
[会议论文] 作者：梁广飞, 李思勉, 黄欢, 王阳, 赖天树, 吴谊群,,
来源： 年份：2011
相变信息存储材料是可擦重写相变光盘和非易失性相变随机存储器中的核心。Ge2Sb2Te5和AgInSbTe是两种典型的相变存储材料,根据其结晶机制不同,分别属于形核主导和生长主导型...
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