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[学位论文] 作者：梅鑫涛,
来源：华中科技大学 年份：2011
ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料,它在室温下的禁带宽度为3.37ev,并具有高达60meV的激子结合能。由于具有上述优良的性质,它一直被广泛应用于压电换能器、压敏传感器和太...
[期刊论文] 作者：梅鑫涛,张五星,李爽,吕文中,胡先罗,袁利霞,黄云辉,
来源：材料导报 年份：2011
由片状材料的定向自组装得到的层状结构可以使膜具有良好的取向性和特殊的物理化学性能。通过对ZnSO4·7HO2在150℃进行水热反应合成出高径厚比的碱式硫酸锌薄片，然后将这...
[期刊论文] 作者：李爽,张五星,杨泽,梅鑫涛,吕文中,胡先罗,袁利霞,黄云辉,
来源：材料导报 年份：2011
以水热法合成的纳米MnO2为模板，合成了以棒状结构为组成单元的球状LiMn2O4纳米材料，并首次用FePO4对其进行了表面包覆改性。通过XRD、SEM、TEM、EDS等表征手段对材料的结构、形...
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