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[学位论文] 作者：楼曹鑫,
来源：浙江师范大学 年份：2011
稀磁性半导体是指:带有磁性的过渡金属或稀土金属离子低浓度掺杂,替代半导体中非磁性阳离子后形成的一类带磁性半导体材料。这类材料的器件会有更小器件尺寸、更快运算速度、...
[期刊论文] 作者：楼曹鑫,丁澜,马锡英,黄仕华,,
来源：苏州科技学院学报(自然科学版) 年份：2011
研究了锗（Ge）量子点薄膜表面形貌随退火温度的变化及其相应的电学特性。以锗烷为主要反应气体,应用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）在300℃温度、p-硅（100）基片上沉积了锗量子点薄......
[期刊论文] 作者：楼曹鑫,马锡英,黄仕华,王丽伟,,
来源：半导体光电 年份：2010
以醋酸锌为原料、O/Ar的混合气体为携载气体,在500℃的温度下应用热蒸发法在p型Si基片上生长纳米ZnO薄膜,并研究了其形貌、结构和光电特性。X-射线(XRD)衍射结果显示所制备Zn...
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