搜索筛选:
搜索耗时2.1645秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：欧李苇,
来源：大连理工大学 年份：2023
随着对半导体器件性能要求的日益增长,半导体材料制备技术取得了长足进步,具有高电子迁移率、耐辐射、耐高温性能的第三代半导体材料氮化镓（Gallium Nitride,GaN）,在先进5G通讯射频芯片、大功率器件和军用雷达领域显示出极大的应用价值和前景。GaN晶片作为衬底进......
相关搜索：
