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[学位论文] 作者：欧阳可青,,
来源： 年份：2005
1988 年,巨磁电阻(GMR)效应的发现打开了磁电子学这门新学科的大门,在基础研究和应用研究领域都引起了广泛的兴趣,尤其为磁性传感器领域带来了一场具有深远影响的革命。与传...
[期刊论文] 作者：欧阳可青, 韦丹, 任天令, 刘理天,,
来源：仪器仪表学报 年份：2003
随着信息技术的迅速发展,对信息存储器提出了以下要求:高密度、高读写速度、低功耗和尽可能长的存储寿命.铁电薄膜材料在存储技术中的应用出现为这一切提供了可能.本文在分析...
[期刊论文] 作者：张江涛,余斌,庞健,孙拓北,欧阳可青,
来源：中国集成电路 年份：2021
随着AI、5G、超大规模存储的云服务,高性能显卡以及高端服务器的应用,传统2D封装技术已经不能满足相关设计与性能需求,在市场需求驱动下2.5D封装技术解决方案在满足产品对高...
[期刊论文] 作者：翟华嶂,李建保,欧阳可青,曹俊,张淑霞,
来源：清华大学学报(自然科学版) 年份：2003
为了研究和表征氧化锆固溶粉体的本征特性,利用化学共沉淀方法制备一系列ZrO2-TiO2-Y2O3三元体系的固溶体纳米粉。通过X射线衍射、透射电镜分析和比表面积测量确定固溶粉体为...
[期刊论文] 作者：欧阳可青,王彬,魏琦,鲁超,陈俊豪,李鸣霄,
来源：电子技术应用 年份：2022
在先进工艺节点（7 nm,5 nm及以下）下，电路老化已经成为制约芯片性能和可靠性的“卡脖子”难题。老化效应将导致器件延时增大，进而产生时序违例的风险。数字电路设计工程师需要在时序分析中预判老化后的时序情况，并针对性地设置时序裕量，才能确保芯片在服役期限中可靠......
[期刊论文] 作者：欧阳可青,任天令,刘华瑞,曲炳郡,刘理天,李伟,
来源：功能材料与器件学报 年份：2005
采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/buffer layer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀.研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并...
[期刊论文] 作者：刘华瑞,欧阳可青,任天令,曲炳郡,李伟,刘理天,
来源：中国机械工程 年份：2005
通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91%,矫顽力...
[期刊论文] 作者：刘华瑞，欧阳可青，任天令，曲炳郡，李伟，刘理天，LiuHua,
来源：中国机械工程 年份：2005
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[期刊论文] 作者：万健,王硕,邱欢,陈飞阳,叶林,武辰飞,欧阳可青,
来源：电子技术应用 年份：2021
在先进工艺节点下,芯片电源网络的电阻增加和高密度的晶体管同时翻转会在VDD和VSS上产生电压降(IR Drop),导致芯片产生时序问题和功能性障碍。采用基于Innovus工具的三种自动化IR Drop修复流程在PR(Placement and Route)阶段优化模块的动态IR Drop。结果表明,Pe......
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