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[学位论文] 作者：段铖宏,
来源：中国科学院合肥物质科学研究院 年份：2008
宽禁带III-V族氮化物半导体材料在短波段发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面有着广阔应用前景。本论文在系统总结了国内外GaN材料制备的研究历史和现...
[期刊论文] 作者：段铖宏,邱凯,李新化,钟飞,尹志军,韩奇峰,王玉琦,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了原位退火对用氢化物外延方法在（0001）面蓝宝石衬底上生长的氮化镓（GaN）外延薄膜的结构和光学性能的影响．测试表明，氨气气氛下在生长温度进行的原位退火，明显提高了GaN外延膜的......
[期刊论文] 作者：段铖宏,邱凯,李新化,钟飞,尹志军,韩奇峰,王玉琦,,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了原位退火对用氢化物外延方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长的氮化镓(GaN)外延薄膜的结构和光学性能的影响.测试表明,氨气气氛下在生长温度进行的原位退火,明显提高了GaN...
[期刊论文] 作者：钟飞,邱凯,李新化,尹志军,姬长建,韩奇峰,曹先存,陈家荣,段铖宏,周秀菊,王玉琦,,
来源：半导体学报 年份：2007
使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、...
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