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[期刊论文] 作者：殷之义,顾锦模,
来源：低温物理学报 年份：1989
实验观察到低温下低掺杂硅 P-N 结的异常现象.在14—25K 的温区里,出现正向伏安特性曲线交叉、击穿电压峰以及当正向注入电流恒定时正向电压随温度变化特性呈现非单调性.对异...
[期刊论文] 作者：殷之义,曹令娴,
来源：上海科技大学学报 年份：1989
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[期刊论文] 作者：殷之义,肖胜,徐克西,
来源：低温物理学报 年份：2003
本文从分析相变电阻率ρP和磁通蠕动电阻率ρF出发,指出当T小于某一温度T0时,ρF>ρP,而当T>T0时,ρF远小于ρP,并进一步分析了ρF与ρP随温度的变化率分布图,得出磁通蠕动电...
[会议论文] 作者：金汴骏,顾曾贶,殷之义,
来源：中国物理学会科学和工业中温度的测量及控制第二次学术会议 年份：1985
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[会议论文] 作者：金汴骏,殷之义,周承浩,
来源：中国物理学会科学和工业中温度的测量及控制第二次学术会议 年份：1985
在4—300K的温区里，对正向恒定电流为10μA的几种GaAs、GaAsP、GaP二极管，进行了正向电压V[*vF*]温度特性的测量。结果表明，低温下这类二极管可用作宽温区的测量探头。Dz管的性...
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