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[期刊论文] 作者:章其麟,孙文红,刘燕飞,毕书亮,耿金花,秦国刚,
来源:半导体情报 年份:1997
用常压MOCVD方法我们在蓝宝石,Si衬底上,成功地制备出GaN单昌薄膜材料,取得了GaN材料的初步测试结果,纯度GaN为n型,载流子浓度为10^^17-10^18cm-^-3,迁移率为200-350cm^2/V.s.双晶衍射半峰宽为7‘,室温PL光谱本征发光波长为370nm,并首次观察到掺ZnGaN呈......
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