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[会议论文] 作者：毕京锋[1]赵建华[1]邓加军[2]郑玉宏[1]王玮竹[1]李树深[1],
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干...
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