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[学位论文] 作者：毛青琴,,
来源：内蒙古大学 年份：2016
相比砷化镓半导体材料,锑化镓具有熔点低、电子迁移率高、光电转化率高等优点,且GaSb的闪锌矿型晶格与其他III-V族三元混晶的晶格相匹配,尤其是通过掺舢形成的三元混晶AlxGa1...
[期刊论文] 作者：毛青琴,赵国军,王舒东,梁希侠,
来源：中国科技论文 年份：2017
为更加深入地了解混晶效应对半导体材料性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿结构三元混晶AlxGa1-xSb（0≤x≤1）的电子结构和光学性质...
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