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[期刊论文] 作者：修向前,野崎真次,岛袋淳一,池上隆兴,王大志,汤洪高,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了采用高频 Plasma CVD技术在较低温度下 (30 0— 40 0℃ )生长以 Ga N为基的 - 族氮化物的可行性 ,在蓝宝石衬底上生长了 Ga N缓冲层 .热处理后的光致发光谱和 X光衍...
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