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[期刊论文] 作者：陆沅,张治国,张燕锋,李春勇,黄绮,付盘铭,陈宏智,吕兰斌,汤浚维,
来源：量子电子学报 年份：1999
本文对低温生长的垂直场ＭＱＷｓ光折变器件电吸收瞬态特性进行了研究，在分析垂直场ＭＱＷｓ器件结构后，我们认为电光层并不单独由多量子阱层构成，而是包括多量子阱层和两边低温生长的缓冲层构成......
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