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[期刊论文] 作者：汪艺桦,,
来源：中国科技期刊研究 年份：1997
80年代,现代科技进入日新月异迅速发展新阶段,科技领域中新学科、边缘学科、交叉学科、分支学科、综合学科等层出不穷,快速地分化和综合,前沿学科和热点课题不断涌现并快速...
[期刊论文] 作者：汪艺桦,
来源：国外科技 年份：1992
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[期刊论文] 作者：汪艺桦,
来源：国外科技 年份：1992
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[期刊论文] 作者：汪艺桦,
来源：半导体光电 年份：1993
半导体超晶格量子阱红外探测器的研制近年来取得了引人注目的成果,其中 GaAs/AlGaAs 红外器件的发展最快。本文在简要综述其单元探测器的基础上,着重介绍这种材料用于红外探...
[期刊论文] 作者：汪艺桦,,
来源：贵阳文史 年份：2009
我父亲汪小川自离休直到身体状况完全不支为止，最主要的活动就是埋头写作。我偶尔在夜里两三点钟看到过他在灯下伏案笔耕不辍，搞不清他是尚未入睡还是已经起床。我佩服他的勤奋......
[期刊论文] 作者：汪艺桦,
来源：激光与红外 年份：1998
随着国际政治－军事力量对比的变化，世界各国大幅度削减军事预算，在这样的背景下，普遍认为红外技术转向民用产品既是合理的也是必然的，完全可以期望红外产业在民用领域有着更为广阔......
[期刊论文] 作者：汪艺桦,
来源：黑龙江科技信息 年份：1999
鸡西矿业集团公司张辰煤矿西三采区3...
[期刊论文] 作者：汪艺桦,
来源：激光与红外 年份：1992
半导体超晶格量子阱作为新一代微电子器件材料而迅速堀起,亦为寻求品质优异、具有特殊性能的红外探测器材料开拓了一个全新的能带工程领域。本文综述了国外发展很快的Ⅲ-Ⅴ族...
[期刊论文] 作者：汪艺桦,
来源：红外与毫米波学报 年份：1994
描述了一种新型共振隧穿结构器件，这种器件包含了通过可变间隙超晶格能量滤波器（ＶＳＳＥＦ）中的耦合量子附态的隧穿过程．论证了通过ＡｌＡｓ／ＧａＡｓＶＳＳＥＦ器件高能态和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超晶格受激态的共振隧穿，描述了这种器件作为......
[期刊论文] 作者：汪艺桦,,
来源：中国科技期刊研究 年份：1997
《红外与毫米波学报》自1982年创刊以来,一直坚持努力提高本刊的学术水平和编辑质量。在1992年和1996年,本刊在全国和中国科学院期刊评比中取得了较好的成绩,其较高的质量水...
[期刊论文] 作者：H.Nakata,汪艺桦,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
在高强度光激发的Ge、GaAs和ZnSe中观察到电子-空穴等离子体.采用远红外磁光吸收和光致发光两种手段研究了等离子体的空间膨胀.将Ge的远红外磁光吸收谱中的一个低磁场峰指认...
[期刊论文] 作者：Samm.,CJ,汪艺桦,
来源：红外与毫米波学报 年份：1994
描述了一种新型共振隧穿结构器件，这种器件包含了通过可变间隙超晶格能量滤波器（ＶＳＳＥＦ）中的耦合量子附态的隧穿过程．论证了通过ＡｌＡｓ／ＧａＡｓＶＳＳＥＦ器件高能态和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超晶格受激态的共振隧穿，描述了这种器件作为......
[期刊论文] 作者：汪艺桦,杨慧芳,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
由中国科学院上海技术物理研究所研究生部和红外物理国家实验室联合主办的“凝聚态光谱与光电子学国际青年学术讨论会”于1991年10月14日至17日在上海技术物理研究所召开,会...
[期刊论文] 作者：C.J.Summers,B.K.Wagner,R.G.Benzll,D.Rajavel,汪艺桦,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
评论了Ⅱ-Ⅵ族半导体HgCdTe的化学束-气源外延生长系统的设计和研制,介绍了生长HgCdTe外延层和气体源掺碘CdTe外延层的最新结果,这些结果表明了用这种技术生长用于制备先进红...
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