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[期刊论文] 作者：汪鼎国,
来源：稀有金属 年份：1995
GaSb是制作光电器件的重要衬底材料。在GaSb上外延生长三元或四元锑化物（如 AlGaSb、InGaAsSb或AlGaAsSb等）,其外延层晶格匹配良好,制成激光器介质损耗小、失散小、功率大,...
[期刊论文] 作者：汪鼎国,
来源：四川有色金属 年份：1992
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[期刊论文] 作者：汪鼎国,
来源：四川有色金属 年份：1993
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[期刊论文] 作者：汪鼎国,
来源：四川有色金属 年份：1994
文中详细地介绍用水平舟生长GaSb单晶的实验过程。简述水平单晶炉的结构及热场分布。用于晶体生长的石英舟经喷沙、Ga炼舟和HF浸泡等措施较好地解决了熔体与石英舟之间的沾润...
[期刊论文] 作者：汪鼎国,
来源：稀有金属 年份：1984
在高频直拉单晶炉中,适当增加石英坩埚的高度,并在坩埚外附加一个石英套管,使之形成一个较为合理的热场。在这个新的热场中已拉制出直径为20～30毫米的低位错密度的Insb单晶。...
[会议论文] 作者：汪鼎国,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：汪鼎国,王全去,
来源：四川有色金属 年份：1990
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