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[期刊论文] 作者：沈(岂页)华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1985
本文报导了测量半导体单晶材料(Si、GaAs、GaP、InP)的表面光伏谱和少子扩散长度,以及用微型计算机进行曲线拟合计算出材料的掺杂浓度、载流子迁移率、表面势垒宽度和表面势...
[期刊论文] 作者：沈(岂页)华,
来源：电子学报 年份：1989
本文用表面光电压法测定了半导体材料的光跃迁类型和带隙参数,推导了有关的计算公式,测定了Ge、Si、GaAs、InP、GaP、AlGaAs,GaAsP等材料的禁带宽度和其他能隙等参数,计算结...
[期刊论文] 作者：沈(岂页)华,
来源：电子学报 年份：1986
测量了不同掺杂浓度和外延层厚度的Ⅲ-Ⅴ族化合物外延材料的光伏谱。由曲线拟合计算出了外延层的掺杂浓度和少子扩散长度等参数,并与实验测量值作了对比,结果表明,理论与实际...
[期刊论文] 作者：朱文章,沈(岂页)华,,
来源：半导体光电 年份：1992
采用我们自己建立的微机控制光伏谱自动测量系统,测量了 P-Al_(0.35)Ga_(0.65)As/n-GaAs 异质结在不同温度下的光伏谱和 p-GaAs/n-GaAs 同质结、P-Al-GaAs/p-GaAs/n-GaAs 异...
[期刊论文] 作者：朱文章,沈(岂页)华,,
来源：半导体光电 年份：1992
在18～300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaAs 超晶格中观测到6个子带间光跃迁激子峰;在...
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