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[学位论文] 作者：淡一涛,
来源：西安电子科技大学 年份：2023
氮化镓（GaN）材料具有宽带隙、高击穿电场和耐高温等优势,在高频、高压和高温等领域具有广阔的应用前景。尤其是GaN材料还表现出优异的抗辐照特性,使GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）在空间应用中具有突出的应用潜力。然而,前期研究发现,在空间环境中GaN HEMT器件受到......
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