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[学位论文] 作者：温德奇,,
来源：大连理工大学 年份：2018
容性耦合等离子体(capacitively coupled plasma,CCP)源被广泛地应用于材料刻蚀和薄膜沉积等半导体制造工艺中。在CCP中,较高频率下的放电可以产生较高密度的等离子体和较低...
[会议论文] 作者：温德奇,刘巍,高飞,王友年,
来源：第十七届全国等离子体科学技术会议 年份：2015
半导体芯片制造中至少有三分之一的过程与等离子体有关,而等离子体刻蚀是其中必不可少的工艺之一.Hybrid model计算时间段，速度快Hybrid model能够尽可能全面的考虑化学反应动...
[会议论文] 作者：温德奇,张权治,王友年,
来源：第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 年份：2013
引言芯片刻蚀工艺中,随着晶圆面积的加大,刻蚀槽特征尺寸的减小和深宽比的增加,等离子体刻蚀的选择性和刻蚀槽轮廓等都难以得到保证.脉冲调制等离子体是解决这些问题的一种有效途径.因此近年来,等离子体源的脉冲调制引起研究人员的广泛兴趣.......
[期刊论文] 作者：王丽,温德奇,田崇彪,宋远红,王友年,
来源：物理学报 年份：2021
容性耦合等离子体放电因在工业界有重要的应用价值而受到广泛关注.对于容性耦合等离子体放电的研究主要集中于对等离子体参数的控制,以实现更好的工艺效果,例如高深宽比刻蚀...
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