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[期刊论文] 作者：熊思强,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1990
This paper deals with 2-D simulation of GaAs MESFET,which includes velocityovershoot effects by using energy transport model suitable for submicron devices.Comp...
[期刊论文] 作者：熊思强,
来源：电子科学学刊 年份：1990
本文用计入热电子效应的动量能量守恒模型讨论了亚微米GaAs MESFET二维数值模拟。为了减少计算量进行了模型简化和算法选择。文中给出并分析了三种典型器件的模用范果,根据模...
[期刊论文] 作者：陈定钦,张晓玲,熊思强,高翠华,周帆,
来源：电子科学学刊 年份：1990
设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm~2/v·s,二维薄...
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