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[学位论文] 作者：熊贻婧,,
来源：南昌大学 年份：2010
电镀金属基板的最显著优势是提高GaN LED的散热性能和光电特性,尤其是大功率GaN LED。目前,将蓝宝石、SiC衬底GaN薄膜转移至电镀基板的技术已经得到了广泛的研究。然而据我们...
[期刊论文] 作者：汪延明,熊传兵,王光绪,肖宗湖,熊贻婧,江风益,,
来源：光学学报 年份：2010
将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对其...
[期刊论文] 作者：肖宗湖,张萌,熊传兵,江风益,王光绪,熊贻婧,汪延明,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明：在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜...
[期刊论文] 作者：熊贻婧,张萌,熊传兵,肖宗湖,王光绪,汪延明,江风益,
来源：发光学报 年份：2010
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNMQWLED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射（HRXRD）和光致发光（PL）研究了转移的GaN薄膜应力变化。...
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