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[学位论文] 作者：牛南辉,
来源：北京工业大学 年份：2004
本文主要研究了GaN基LED的MOCVD材料生长与性质，主要内容如下： 1．研究了缓冲层的作用机理以及高温生长初始阶段生长Ⅴ/Ⅲ比、生长压力、等参数对GaN表面形貌、晶体质量、光学...
[期刊论文] 作者：王婷,郭霞,郭伟玲,牛南辉,沈光地,
来源：激光杂志 年份：2005
对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型.计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布.得到实现激光...
[期刊论文] 作者：王婷,郭霞,刘斌,牛南辉,郭伟玲,沈光地,,
来源：中国激光 年份：2005
用有限元分析法模拟计算Al2O3/GaN的激光剥离,分析了采用不同能量密度脉冲激光辐照时GaN材料内的瞬态温度场分布.采用波长248 nm的KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥...
[期刊论文] 作者：俞波, 李建军, 盖红星, 牛南辉, 邢艳辉, 邓军, 韩军,
来源：激光与红外 年份：2004
对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影...
[期刊论文] 作者：邢艳辉, 韩军, 刘建平, 邓军, 牛南辉, 沈光地,,
来源：物理学报 年份：2004
利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长InGaN/GaN多量子阱结构.对多量子阱垒层掺In和非掺In进行了比较研究,结果表明,垒掺In的样品界面质量变差,但明显增加了光...
[期刊论文] 作者：邢艳辉,韩军,刘建平,牛南辉,邓军,沈光地,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
对金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长的p型氮化镓(p-GaN)在氮气气氛下的热退火进行研究。用Hall测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能;对...
[期刊论文] 作者：邢艳辉,韩军,刘建平,牛南辉,邓军,沈光地,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：俞波, 李建军, 盖红星, 牛南辉, 邢艳辉, 邓军, 韩军,,
来源：激光与红外 年份：2005
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[期刊论文] 作者：盖红星, 邓军, 李建军, 韩军, 俞波, 牛南辉, 沈光地,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
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[期刊论文] 作者：刘乃鑫,王怀兵,刘建平,牛南辉,韩军,沈光地,,
来源：物理学报 年份：2006
采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在...
[期刊论文] 作者：牛南辉, 王怀兵, 刘建平, 刘乃鑫, 刑燕辉, 韩军, 邓,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
利用MOCVD生长了不同Mg流量的P型GaN样品。研究了Mg流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量的影响。结果表明利用MOCVD制备高质量的P型GaN薄膜，Mg流量应...
[期刊论文] 作者：邢艳辉,韩军,邓军,刘建平,牛南辉,李彤,沈光地,,
来源：功能材料 年份：2007
采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术,对p型GaN∶Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方...
[期刊论文] 作者：刘乃鑫, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 张念国, 李彤, 邢,
来源：物理学报 年份：2004
采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN(0≤x≤0.3)外延材料样品.对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究.研究发现在固定Mg掺杂浓度下,...
[期刊论文] 作者：王建峰,牛南辉,盖红星,李冰,韩军,徐遵图,沈光地,
来源：半导体技术 年份：2004
计算出与GaAs衬底相匹配的In1-xGaxAsyP1-y组分x和y的约束关系,并加以验证;用约束关系简化带隙与组分x和y函数关系,使之变为单变量y的函数,并给出晶格常数、带隙与组分关系的...
[期刊论文] 作者：盖红星,邓军,李建军,韩军,俞波,牛南辉,沈光地,陈建新,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
借鉴光波导设计的传输矩阵法思想,引入传输矩阵方法进行量子阱设计的应用,以980 nm半导体激光器用的应变量子阱为例,利用MOCVD外延生长技术设计生长了InGaAs/GaAs应变量子阱...
[期刊论文] 作者：牛南辉,王怀兵,刘建平,邢燕辉,韩军,邓军,沈光地,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的...
[期刊论文] 作者：李彤, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 张念国, 邢艳辉, 韩军,,
来源：物理学报 年份：2007
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[期刊论文] 作者：牛南辉, 王怀兵, 刘建平, 刘乃鑫, 刑燕辉, 韩军, 邓军,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
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[期刊论文] 作者：盖红星,郭霞,邓军,李建军,韩军,邢艳辉,俞波,牛南辉,陈建,
来源：光学技术 年份：2005
可以把垂直腔面发射激光器看作是多层光学薄膜,应用光学薄膜原理对其光学薄膜的特性进行了研究.计算分析了布拉格反射镜和谐振腔模的反射谱受器件结构变化的影响.通过利用菲...
[期刊论文] 作者：俞波,韩军,李建军,盖红星,牛南辉,邓军,邢艳辉,廉鹏,沈光,
来源：半导体光电 年份：2005
采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱.对计算结果的分析表明...
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