搜索筛选:
搜索耗时2.4456秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 11 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:牟善明,刘家瑞, 来源:半导体学报 年份:1990
用AES,X-射线衍射和RBS等方法分析研究了热反应与离子束混合La,Ce及Nd稀土金属膜和硅反应生成硅化物的物理过程。实验表明:不同的生成条件如热反应温度或离子束混合的剂量能...
[期刊论文] 作者:朱小杰,牟善明,秦曼, 来源:中西医结合心血管病杂志(电子版) 年份:2014
目的探讨并分析充填式无张力治疗腹股沟疝气的临床效果。方法将我院自2013年9月~2014年3月所收治的100例腹股沟疝气患者作为研究对象,基于患者一般资料的分析,所有患者均采取充......
[期刊论文] 作者:牟善明,赵敏,骆岚岚, 来源:中西医结合心血管病杂志(电子版) 年份:2014
目的探讨并观察改良后方肛裂切除治疗陈旧性肛裂的临床结果。方法回顾性分析自2012年11月~2014年1月来我院行改良后方肛裂切除治疗陈旧性肛裂的120例患者的临床资料和治疗情况...
[期刊论文] 作者:王大文,钟战天,范越,牟善明, 来源:真空科学与技术学报 年份:1990
利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层...
[期刊论文] 作者:王大文,钟战天,范越,牟善明, 来源:真空科学与技术 年份:1990
利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同...
[期刊论文] 作者:牟善明,王佑祥,殷士端,张敬平,刘家瑞, 来源:半导体学报 年份:1990
用AES,X-射线衍射和RBS等方法分析研究了热反应与离子束混合La,Ce及Nd稀土金属膜和硅反应生成硅化物的物理过程。实验表明:不同的生成条件如热反应温度或离子束混合的剂量能...
[期刊论文] 作者:钟战天,罗文哲,牟善明,张开颜,李侠,李承芳, 来源:物理学报 年份:1992
采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P_2S_5/NH_4OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组...
[期刊论文] 作者:周小川,都安彦,彭练茅,蒋健,牟善明,张开颜,钟战天,, 来源:半导体情报 年份:1991
在分析型透射电子显微镜(TEM)上,利用反射电子显微术(REM)我们系统地研完了用分子束外延法生长的AlGaAs/GaAs异质多层材料及应变InGaAs/GaAs超晶格材料。在对AlGaAs/GaAs超晶...
[期刊论文] 作者:钟战天,王大文,廖显伯,牟善明,范越,李承芳, 来源:半导体学报 年份:1991
利用XPS和AES对Al/a-Si∶H界面进行了研究.实验结果表明,最初阶段Al淀积在a-Si∶H上出现金属团.Al淀积量超过一定值后,起化学反应的Al和Si形成了互溶区,同时没有化学反应的Al...
[期刊论文] 作者:杜全钢,钟战天,周小川,牟善明,徐贵昌,蒋健,段海龙,王昌衡, 来源:半导体学报 年份:1994
本文报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能.这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,除内n型掺杂,具有50个周期.利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(2英寸)均匀(厚度△t_max/≤3%,组分△ x_max/x≤3.4%,掺杂......
[期刊论文] 作者:方晓明,黄醒良,陆卫,李言谨,沈学础,周小川,钟战天,蒋健,徐贵昌,杜全钢,牟善明,李承芳,周鼎新,于美云,余晓中, 来源:红外与毫米波学报 年份:1992
利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09×10~9cm·Hz~(1/2)·W~(-1),电压响应率为2...
相关搜索: