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[学位论文] 作者：王兵冰,
来源：北京大学 年份：2006
目前，MOSFET的特征尺寸已经进入亚100nm量级，短沟效应、DIBL(漏致势垒降低)效应等因素的影响越来越严重，器件继续按比例缩小将面临更大的挑战。为了解决这些问题，人们已经提出了......
[期刊论文] 作者：汪洋,王兵冰,黄如,张兴,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
短沟道效应是MOS器件特征尺寸进入Sub-100nm后必须面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能。文中采用器件和...
[期刊论文] 作者：王兵冰,汪洋,黄如,张兴,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET，研究发现halo的注入角度越大，热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤，使器件可靠性变差，halo......
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