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[期刊论文] 作者：程文海,王海,周涛涛,卢振成,王凌振,蒋梁疏,
来源：化工生产与技术 年份：2020
叙述了高κ介质材料替代传统SiO2作为栅介质是超大集成电路发展的必然趋势,总结了Hf基高κ材料基本性能、研究现状及制备方法,推荐了满足MOS制程要求的ALD薄膜沉积技术。分析...
[期刊论文] 作者：王海,程文海,周涛涛,卢振成,王凌振,蒋梁疏,
来源：有机氟工业 年份：2020
低k(介电常数)介质材料替代传统SiO2作为互连金属介电层是集成电路发展的必然趋势。总结了低k材料性能基本要求及制备方法,重点探讨含氟低k有机材料研究进展。认为获得k值低...
[期刊论文] 作者：王海, 程文海, 周涛涛, 卢振成, 王凌振, 蒋梁疏,,
来源：化工生产与技术 年份：2020
叙述了集成电路制造技术的发展及低介电常数(κ)金属介电层的研究背景,回顾了传统SiO2作为金属介电层所面临的问题,低κ材料取代传统SiO2介电材料是解决上述问题的有效方法。...
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