搜索筛选:
搜索耗时2.1297秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 5 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：王占国,刘峰奇,
来源：半导体学报 年份：2000
利用分子束外延技术和Ｓ－Ｋ生长模式，系统研究了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ材料体系应变自组装量子点的形成和演化，研制出激射波长λ≈９６０ｎｍ，条宽１００μｍ，腔长８００μｍ的Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ量子点激光器，室温连续输出功率大于３．５Ｗ，室温阈值电流密度２１８Ａ／ｃｍ＾２。０．６１Ｗ室温......
[会议论文] 作者：王占国;刘峰奇;,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本报告共分四部分,首先分别对基于InGaAs/InAIAs/lnP、AlGaAs/GaAs等材料体系的半导体子带跃迁量子级联激光器(QCLs)和基于InAs/AISb/GalnSb的锑化物Ⅱ型超晶格能带结构...
[期刊论文] 作者：王占国,刘峰奇,梁基本,徐波,
来源：中国科学(A辑) 年份：2000
利用分子束外延技术和Stranski_Krastanow生长模式 ,系统研究了In(Ga)As GaAs,InAlAs AlGaAs GaAs,In(Ga)As InAlAs InP材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .通过调节实验...
[期刊论文] 作者：王占国,刘峰奇,梁基本,徐波,
来源：中国科学：数学英文版 年份：2000
Systematic study of molecular beam epitaxy-grown self-assembled ln(Ga)As/GaAs, In-AlAs/AlGaAs/GaAs, and InAs/InAIAs/lnP quantum dots (QDs) is demonstrated. By a...
[期刊论文] 作者：王占国,刘峰奇,梁基本,徐波,丁鼎,龚谦,韩勤,
来源：半导体学报 年份：2000
利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As...
相关搜索：
