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[学位论文] 作者：王如志,,
来源： 年份：2003
目前，III族氮化物半导体光电特性应用上研究上不断取得了令人振奋的突破。而III族氮化物半导体场发射研究作为其光电特性的重要研究方向，引起了人们广泛关注。本论文系统分析了......
[学位论文] 作者：王如志,
来源：湘潭大学 年份：2000
当微电子学发展到经典极限时,半导体异质结的发明及超微加工制备技术的日臻成熟为半导体纳米电子奠定了良好的实验基础,这使得以量子理论为基础的纳米电子学成为新的前沿热点...
[学位论文] 作者：王如志,
来源：复旦大学 年份：2005
通过建立纳米半导体薄膜场发射模型，分别研究了c-BN半导体薄膜场发射纳米增强效应及纳米AlxGa1-xN复合膜的热场发射特性。研究结果表明：小纳米晶粒半导体薄膜具有更为优异的场...
[会议论文] 作者：王如志,
来源：第十三届固态化学与无机合成学术会议 年份：2014
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[会议论文] 作者：王如志,
来源：中国物理学会2012年秋季学术会议 年份：2012
场发射冷阴极在显示技术、微波能源及高频电子等方面具有十分重要的应用.基于几何增强的spindt尖端及一维材料场发射材料由于发射稳定性或工艺成本等问题限制了其器件应用发...
[期刊论文] 作者：王如志, 严辉,,
来源：中国高教研究 年份：2004
主动创新意识是创新能力的灵魂与基础,是增加国家自主创新能力的前提与基础。提高研究生主动创新意识,可采用兴趣诱导、探索研究及团队讨论等方法。创新意识的培养离不开良好...
[期刊论文] 作者：王如志,严辉,
来源：北京工业大学学报 年份：2020
综述了作者近20年在纳米半导体场电子发射及其作为冷阴极应用的理论模型、优化结构与相应实验研究方面取得的系列进展与突破.理论上提出了宽带半导体能带弯曲场发射模型和量...
[会议论文] 作者：沈震,王如志,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
利用自主组装设计的等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),用N2、H2 替代常用的NH3,在Si 衬底上制备大面积高质量的GaN 纳米线,考察了不同生长参数对纳米线形貌的影响,并系统研究了衬底种类和处理条件、不同生长温度、不同气压以及反应气氛中各气体比例等条件下纳......
[期刊论文] 作者：王如志,颜晓红,
来源：湘潭大学自然科学学报 年份：2000
研究了长量子线系统在一真磁叠作用下的霍尔电导，结果发现了台阶状的霍尔电导，随费米能的增加，将出现了霍尔电导的淬灭及负的强振荡性的霍尔电导。...
[会议论文] 作者：明帮铭;王如志;,
来源：2014第二届中国网络安全大会 年份：2014
本研究使用第一性原理系统研究闪锌矿(zb)/纤锌矿(wz)异质结构对BN超晶格材料力学性能的影响.本工作中构建了[111]zb(10-x)/[0001]wzx-BN的超晶格结构,其中x=0,1,2 …,10...
[会议论文] 作者：王如志,刘准,PeterZapol,
来源：第十九届全国凝聚态理论与统计物理学术会议 年份：2016
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，我们系统研究了GaN非极性(1100)m面及其邻面的外延生长的微观机制。研究表明：1)仅以热动力学稳定性机制难以解释GaN m面及其邻面的...
[会议论文] 作者：明帮铭,王如志,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
实验表明,不同缺陷类型对低维GaN材料如薄膜、纳米线等的能带、光学性能有非常明显的影响.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法系统讨论了GaN纳米线中可能存在的缺陷类型及缺陷存在的位置.本文主要考虑了在富氮或贫氮氛围生长纳米线时,纳米线中可能出现的......
[期刊论文] 作者：畅丽媛,王如志,
来源：北京工业大学学报 年份：2022
质子交换膜燃料电池具有绿色、可持续、功率高等优点,是解决环境与能源问题的一个重要途径.膜电极是其核心部位,是反应时电子、质子、反应气体和产物水等多相物质传递及电化学反应的重要场所.设计和制备具有高活性和高耐久性的膜电极对提高质子交换膜燃料电池的......
[期刊论文] 作者：王如志, 王波, 严辉,,
来源：物理 年份：2002
由于场发射研究日趋重要,文章就场发射理论的起源、研究现状进行了总结,介绍了电子在几种不同类型材料的场发射理论模型,并对理论本身存在的问题进行了述评,着重指出其理论缺...
[会议论文] 作者：盖红, 王如志, 严辉,,
来源： 年份：2015
稀土掺杂氟化物由于其较强的上转换发光特性吸引了越来越多的关注,稀土掺杂的氟化物上转换薄膜可克服粉末材料和块体材料的不足,从而大大提高稀土掺杂的氟化物上转换材料的实...
[会议论文] 作者：刘准, 王如志, 严辉,,
来源： 年份：2004
我们通过第一性原理计算研究了双极掺杂双层石墨烯垂直异质结。这种垂直异质结通过一层氢化氮化硼夹在两块平行的石墨烯中,从而形成三明治结构。由于氢化氮化硼的内建电势差...
[期刊论文] 作者：朱满康,王如志,等,
来源：硅酸盐学报 年份：2002
Halliyal和Ruessel认为，极性微晶玻璃的晶粒定向生长是由于高温梯度场驱动的。但这难以解释BTS极性微晶玻璃的特殊恒温场晶粒定向晶化工艺。基于实验和理论分析，提出BTS极性微...
[期刊论文] 作者：王如志,颜晓红,等,
来源：北京工业大学学报 年份：2001
为定性了解纳米电磁输运特性，发展了一种基于量子理论求解电子通过纳米电磁结构输运特性的转移矩阵的方法，计算了电子隧穿纳米结构电磁势垒的电导特性，发现电导呈现出振荡性行为......
[期刊论文] 作者：王如志,王波,严辉,
来源：中国材料进展 年份：2009
场致电子发射（场发射）薄膜材料由于在场发射平板显示器、电子源等诸多高性能真空微电子器件上具有广阔的应用前景，引起了人们广泛的关注与研究兴趣。综述了场发射薄膜材料的理论......
[会议论文] 作者：姬宇航,沈震,王如志,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
随着发光二极管(LEDs)、激光二极管(LDs)、高频晶体管等半导体器件的迅速发展,InN已经被证实是一种非常重要的Ⅲ族氮化物半导体材料.InN 的带隙为0.7eV,具有立方(c-InN)和六方(h-InN)结构.本文采用自己搭建的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,分别以金属In......
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