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[学位论文] 作者：王度阳,
来源：华南师范大学 年份：2013
随着日亚公司在蓝光LED技术上的突破，GaN基Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体发光器件受到了广泛的关注。特别是GaN基白光LED的实现，其在新材料、新工艺上的许多优点，使其作为第四代照明光源，......
[期刊论文] 作者：王度阳,孙慧卿,解晓宇,张盼君,,
来源：物理学报 年份：2012
采用模拟计算的方法,运用量子点模型对GaN基LED器件中不同尺寸量子点的电致发光光谱进行模拟分析,并对器件结构中电子空穴浓度,辐射复合强度进行了研究.分析结果显示,随着量...
[期刊论文] 作者：解晓宇,孙慧卿,王度阳,许轶,韩世洋,肖永能,,
来源：功能材料 年份：2012
采用基于密度泛函理论的第一原理平面波超软赝势法,对六方纤锌矿结构ZnO晶体,Na、N分别掺杂ZnO晶体,Na、N共掺杂ZnO晶体的几何结构进行了优化,其中Na、N共掺杂又分为Na、N相...
[期刊论文] 作者：张盼君,孙慧卿,郭志友,王度阳,谢晓宇,蔡金鑫,郑欢,谢楠,杨斌,,
来源：物理学报 年份：2013
本文通过对含有高In组分量子点的双波长LED进行了模拟计算,并对器件的能带结构、载流子浓度、复合速率和辐射光谱进行了研究.通过对器件结构的调整与对比,发现蓝绿双波长LED...
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