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[会议论文] 作者：王惠娟;吕垚;万里兮;,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
以硅为基体材料，PN结为基本结构制作的无源器件具有一种电容的特性，进一步利用深硅刻蚀技术，通过在硅基材料上刻蚀深图形以增大PN结结面积从而增大电容量，这种方式制作的PN结电容......
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