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[会议论文] 作者：孙勇,王星录,董红,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
高电子迁移率的Ⅲ-Ⅴ族半导体有望取代硅，作为下一代金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的沟道材料应用于超大规模集成电路上[1].目前技术上最大的难题之一就是如何提高Ⅲ-Ⅴ族半导体与高κ栅介质接触的界面质量.InAs作为Ⅲ-Ⅴ族半导体中电子迁移率最高的半导......
[期刊论文] 作者：朱云娜,王星录,董红,
来源：真空电子技术 年份：2017
源于其高电荷迁移率，III-V族半导体材料有望在10nm技术节点以下的低功耗晶体管上得到采用。采用角分辨X射线光电子能谱(ARXPS)，表征了InP/Al2O3堆栈退火前后的界面化学，元素扩散...
[期刊论文] 作者：朱云娜,王星录,董红,,
来源：真空电子技术 年份：2017
源于其高电荷迁移率,III-V族半导体材料有望在10nm技术节点以下的低功耗晶体管上得到采用。采用角分辨X射线光电子能谱(ARXPS),表征了InP/Al_2O_3堆栈退火前后的界面化学,元...
[期刊论文] 作者：孙勇,王星录,史笑然,董红,
来源：真空电子技术 年份：2019
InSb作为重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料已经应用在光电探测器、中红外激光器等领域,但InSb与氧化物的界面质量对制造高性能器件仍然至关重要。通过对InSb/HfO2堆栈在300和400℃下...
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