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[学位论文] 作者：王昭笔,,
来源：电子科技大学 年份：2017
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[会议论文] 作者：王昭笔, 霍小石, 周晓臻,
来源：年全国微波毫米波会议 年份：2022
基于sanan的发射结面积为2um×20um的InGaP/GaAsHBT工艺,采用达林顿结合有源偏置结构,制作了一种频率覆盖DC-5GHz的超宽带低噪声放大器MMIC。该放大器通过达林顿结构增大了电流的放大倍数,拓展了带宽,提高了放大器的线性度。有源偏置结构保证了电路输出电流的稳......
[期刊论文] 作者：徐涛,唐厚鹭,王昭笔,曹欢欢,,
来源：无线电工程 年份：2017
基于通信对功率放大器的宽带和高效率的需求,给出了一款C波段GaN HEMT内匹配功率放大器的设计过程。该器件由2个3 mm栅宽的GaN功率管芯和制作在Al_2O_3陶瓷基片上的输入输出...
[期刊论文] 作者：徐涛，唐厚鹭，王昭笔，曹欢欢，XUTao，TANGHou-l,
来源：无线电工程 年份：2017
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