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[学位论文] 作者：王梁永,
来源：西安电子科技大学 年份：2006
随着科学技术的不断发展,计算机技术及微电子器件的应用越来越广泛。本文通过对现有流量计及单片机在流量检测仪表中的应用现状的分析,结合流量计的发展趋势,提出了基于Intel...
[会议论文] 作者：张义门,李磊,王梁永,张玉明,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文对12位A/D转换器ADS7806与80c196kc单片机的接口及c语言设计进行了研究。文章介绍了其主要特性和功能,并给出了它与16位单片机80c196kc的接口方法,同时结合在电磁流量计...
[会议论文] 作者：王梁永,张玉明,张义门,李磊,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文对12位A/D转换器ADS7806与80c196kc单片机的接口及c语言设计进行了研究。文章介绍了其主要特性和功能,并给出了它与16位单片机80c196kc的接口方法,同时结合在电磁流量计...
[会议论文] 作者：李磊,张玉明,张义门,王梁永,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文开发了一种以Intel80C196KC单片机及CPLD为核心的通用智能电磁流量转换器,详细说明了流量信号的特征、系统的硬件组成结构....
Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal–oxid
[期刊论文] 作者：贾一凡,吕红亮,钮应喜,李玲,宋庆文,汤晓燕,李诚瞻,赵艳黎,肖莉,王梁永,唐光明,张义门,张玉明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
The effect of nitric oxide(NO) annealing on charge traps in the oxide insulator and transition layer in n-type4H–Si C metal–oxide–semiconductor(MOS) devices...
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