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[学位论文] 作者：王韶铭,
来源：桂林电子科技大学 年份：2023
受限于硅材料特性的限制,硅基器件的发展空间已较为有限。而以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件适合于高温、高压和高频的场合,有助于电子系统的效率和功率密度的提升。本文针对第三代半导体材料碳化硅在功率器件异质结构的应用问题,采用分子动力学方法对比研究......
[期刊论文] 作者：刘东静,王韶铭,杨平,
来源：物理学报 年份：2021
为了调控石墨烯/碳化硅异质界面传热特性,采用非平衡态分子动力学方法研究温度、尺寸、材料缺陷率对界面热导的影响,通过声子态密度和声子参与率对界面热导变化的原因进行阐述分析.研究表明:两种界面作用力下界面热导均随温度升高而增大,但共价键的异质界面热导......
[期刊论文] 作者：刘东静,王韶铭,王浩洁,郑贵方,
来源：电子元件与材料 年份：2020
针对IGBT功率器件在振动环境下的可靠性问题,采用正交试验法构建16组不同的模块结构,利用ANSYS软件对模块进行随机振动分析和优化设计。研究发现对焊接层影响因素由强到弱依...
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