搜索筛选:
搜索耗时3.0782秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 17 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：高俊杰,田人和,,
来源：中国药学杂志 年份：1991
传统的炙山茱萸的炮制法是酒蒸或酒炖,中国药典1985年版一部中也规定其炮制方法照酒炖法或酒蒸法,炖或蒸至酒吸尽。过去,我们依照传统酒蒸法进行炮制,每蒸制一次需用2.5～3h右...
[期刊论文] 作者：TIAN Ren-He(田人和),
来源：中国物理快报(英文版) 年份：2003
We present a new method for the numerical calculation of exact complex eigenvalues of Schrodinger equations for a hydrogen atom in a uniform electric field. Thi...
[期刊论文] 作者：田人和,卢武星,
来源：半导体学报 年份：1993
本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10~(15)/...
[期刊论文] 作者：田人和,李介平,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1997
讨论了外激光场中氢原子修饰势的奇点。为了解Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程，提出了一种新的迭代方法，对于圆偏振情况，引进了一种旋转坐标，从而消去了哈密顿量中的时间变量，因此Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程变成定态形式。对激光场......
[期刊论文] 作者：王广甫,田人和,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1999
介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地２种不同工作状态下的工作特性，发现阳极接地时，因沉积靶室入口法的第二阳极作用。聚焦磁场对弧源放电稳定性的影响不如阴极接地......
[期刊论文] 作者：田人和,贺凯芬,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1981
一、引言离子注入半导体的激光退火问题,目前已进行过很多研究,退火机理已基本研究清楚。在脉冲或高功率激光照射下,样品表面层要发生熔化,退火是“液相外延”过程,而在连续...
[会议论文] 作者：田人和,李介平,
来源：第八届原子与分子物理全国学术会议 年份：1996
该文讨论了激光场中氢原子Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程修饰势的奇点。介绍了一种迭代求解方法。计算了激光场中氢原了修饰态的能级位置。结果表明，基态和低激发态能级随外光场变化较大，而高激发态随外......
[期刊论文] 作者：田人和,李竹怀,
来源：自然杂志 年份：1980
一、引言汉字输入的方法目前可分为二大类,一类是大字盘方法,另一类是代码法.由于大字盘方法缺点很多,而代码输入法可以采用国际通用的电传“打字机”作为输入键盘,所以,现...
[期刊论文] 作者：田人和,卢武星,张官南,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1982
一、引言激光退火是近几年发展起来的新技术.它不但能使离子注入时形成的无定型半导体表面层恢复为单晶,而且可使汽相淀积或溅射在单晶衬底上的非晶或多晶薄层转变为单...
[会议论文] 作者：田人和,王广甫,吴瑜光,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
用磁过滤弧法在单硅、熔凝石英以及硼硅玻璃衬底上生长了ｔａ－Ｃ膜。用椭偏仪、ＸＰＳ谱技术、以及Ｒａｍａｎ光谱技术对不同靶偏压条件下生长的ｔａ－Ｃ膜膜进行了研究。对于硅单晶衬底上生长的ｔａ－Ｃ膜，靶偏压在－１００伏......
[期刊论文] 作者：王广甫,刘玉龙,田人和,张荟星,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2001
用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta-C薄膜,Raman光谱和光电子能谱(XPS)分析表明衬底加80～100V负偏压时合成的Ta-C薄膜sp3键所占比例最高,可达80%以上,并且...
[期刊论文] 作者：田人和,卢武星,顾永俶,高愈遵,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1992
用剖面的电子显微术(XTEM)研究了后注Ar~+对高能注P~+硅中二次缺陷的影响。结果表明,后注Ar~+像后注Si~+一样能够减少高能注P~+硅中的二次缺陷。但这种效果与退火过程密切相...
[会议论文] 作者：王广甫,田人和,吴瑜光,张孝吉,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在Si衬底上合成了非晶刚石(ta-C)薄膜，Raman光谱和XPS分析表明衬底加80-100V负偏压时合成的ta-C薄膜SP键含量最高，可达80℅以上。...
[期刊论文] 作者：田人和,顾永俶,卢武星,张荟星,
来源：半导体学报 年份：1993
本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10~(15)/cm~2...
[期刊论文] 作者：田人和,顾永俶,贺凯芬,卢武星,张荟星,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1992
考虑瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了强流恒定离子束辐照过程的温度效应.由温升曲线的计算可知,对中等以上的注量率(>10~(13)cm~(-2)s~(-1))来说,快速注入过程都将是...
[期刊论文] 作者：王广甫,田人和,吴瑜光,张孝吉,张荟星,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1999
介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地2种不同工作状态下的工作特性．发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对孤源放电稳定性的影响不如阴极接......
[期刊论文] 作者：田人和,顾永俶,卢武星,林文廉,张通和,张荟星,,
来源：金属学报 年份：1993
根据非线性热传导方程,用有限差分方法计算金属中强束流离子注入的温升效应给出了温升和温度分布曲线,以及样品表面温度与离子能量、剂量率、靶座温度、样品厚度等的关系曲线...
相关搜索：
