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[学位论文] 作者：石震武,
来源：中国科学院大学 年份：2014
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[会议论文] 作者：石震武,王禄,王文新,陈弘,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
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[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,张伟,唐沈立,彭长四,,
来源：物理学报 年份：2017
InGaAs/AlGaAs量子阱是中波量子阱红外探测器件最常用的材料体系,本文以结构为2.4 nm In0.35Ga0.65As/40 nm Al0.34Ga0.66As的多量子阱材料为研究对象,利用分子束外延生长,固...
[期刊论文] 作者：张伟,石震武,霍大云,郭小祥,彭长四,
来源：物理学报 年份：2016
在InAs/GaAs（001）量子点生长过程中,当In As沉积量为0.9 ML时,利用紫外纳秒脉冲激光辐照浸润层表面,由于高温下In原子的不稳定性,激光诱导的原子脱附效应被放大,样品表面出现了...
[会议论文] 作者：彭长四,石震武,庄思怡,耿彪,祁秋月,
来源：2020第三届光电材料与器件发展研讨会 年份：2020
纳米材料制造的传统方法涉及自上而下的光刻图形化和(或)自下而上的自组装。(1)将光刻图形化转移到材料所需的蚀刻过程在原子尺度上引发的晶格破坏和化学污染，是永远不能完全去除的。因此，在晶圆外延质量级别上说，光刻图形化之后的再生界面严重受损，缺陷水平比实际......
[会议论文] 作者：彭长四,石震武,霍大云,邓长威,陈晨,杨琳韵,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,徐超,邓长威,陈晨,张伟,陈林森,彭长四,,
来源：科学通报 年份：2017
在液滴外延生长过程中金属液滴承担着生长前驱体的角色,直接决定着后续量子环、量子点、纳米线等量子结构的密度、尺寸、位置等参数.本文开展了在MBE(molecular beam epitaxy...
[期刊论文] 作者：田海涛,王禄,温才,石震武,孙庆灵,高怀举,王文新,陈弘,
来源：发光学报 年份：2014
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响.使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测...
[期刊论文] 作者：田海涛,王禄,温才,石震武,孙庆灵,高怀举,王文新,陈弘,,
来源：发光学报 年份：2014
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测...
[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,徐超,邓长威,陈晨,陈林森,王文新,彭长四,
来源：发光学报 年份：2017
InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍（Be）元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移.X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN（Be）/GaAs量子阱在退火过程中的应...
[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,徐超,邓长威,陈晨,陈林森,王文新,彭长四,,
来源：发光学报 年份：2017
InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍(Be)元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移。X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN(Be)/GaAs量子阱在退火过程中...
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