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[期刊论文] 作者：祁明维,施天生,
来源：红外与毫米波学报 年份：1991
报道了高碳CZ-Si经中子和电子辐照后产生氧-缺陷复合体的研究结果。电子辐照产生的830cm-1峰在退火时转化成889、904、969、986、1000及1006cm-1峰的...
[期刊论文] 作者：祁明维,施天生,蔡培新,
来源：红外与毫米波学报 年份：1991
报道了高碳CZ-Si经中子和电子辐照后产生氧-缺陷复合体的研究结果。电子辐照产生的830cm~(-1)峰在退火时转化成889、904、969、986、1000及1006cm~(-1)峰的退火曲线支持了Cor...
[期刊论文] 作者：谢雷鸣,白国仁,施天生,祁明维,
来源：红外研究 年份：1984
氢气区熔硅单晶在伸缩振动区域存在两个强吸收峰:2210 cm~(-1)、1946 cm~(-1)(10K时,频率分别为2223、1952 cm~(-1))。在纯氘气氛下前者位移到1617 cm~(-1),后者位移到(1421...
[期刊论文] 作者：王澄,何克伦,程如光,祁明维,
来源：红外研究(A辑) 年份：1985
研究了等离子体工艺参数对射频辉光放电沉积的a-Si:H膜中氢的键合状态的影响及氢在退火时的释放机理。结果表明:可以通过不同的制备条件(特別是等离子体压力)控制a-Si:H膜中...
[期刊论文] 作者：白国仁,祁明维,谢雷鸣,施天生,
来源：红外研究 年份：1984
氢气区熔硅单晶在伸缩振动区(2300～1900cm~(-1))和弯曲摇摆区(1000～500cm~(-1))存在众多与氢有关的红外吸收峰。关于这些峰的本质虽有很多研究,但是由于缺乏足够的实验数据,因...
[期刊论文] 作者：施天生,谢雷鸣,白国仁,祁明维,
来源：红外研究 年份：1984
2210cm~(-1),1946cm~(-1)峰是氢气区熔硅单晶(c-Si:H)中伸缩振动区两个主要的强峰,搞清它们的本质是认识整个Si-H红外吸收谱的第一步。对此文献中曾有过多种不同的假设。但...
[期刊论文] 作者：李林,祁明维,郑庆祺,苗永智,
来源：金属学报 年份：1957
从实验结果证明,硼对珠光体的成核及成长是有影响的;在亚共析钢中硼促使珠光体的开始形成时间推迟,增长了珠光体成核的孕育期,但对成核率与时间的关系,在近于A_1温度(700℃)...
[期刊论文] 作者：王树林,程如光,何克伦,祁明维,蔡培新,
来源：无机材料学报 年份：1988
用红外及氢释放谱研究了由高频辉光放电分解不同配比的 SiH_4+NH_3+H_2混合气体而制备的a-SiN_x∶H 薄膜。结果发现:随着 N/Si 增加,膜的结构由类 a-Si∶H 形式逐渐过渡到类...
[期刊论文] 作者：祁明维,李林,黄松怀,周德庆,沈德鑫,
来源：金属学报 年份：1956
低碳硼-钼钢经过锻造及正火处理后,抗拉强度可以达到60千克/毫米~2以上,屈服强度可达到48千克/毫米~2以上,比不含合金的低碳结构钢的机械强度超过一倍,同时仍保持有较好的展...
[期刊论文] 作者：吴宗焱,沈月华,叶雅谷,祁明维,白国仁,
来源：半导体学报 年份：1984
在用磷掺杂a-Si∶H时,我们发现随掺杂量的增加,a-Si(P)∶H的直流暗电导σ_D先是增大,在 P/Si=10~(-3)时达最大值,为 10~(-2)(Ω-cm)~(-1)左右.继续的掺杂反而使σ_D下降.相...
[期刊论文] 作者：王树林,程如光,祁明维,沈学础,唐文国,
来源：无机材料学报 年份：1991
本文报道了经300℃到800℃退火后的氢化非晶硅(a-Si∶H)/氢化非晶氮化硅(a-SiN_x∶H)多层膜77K 的光致发光性能。77K 的光致发光峰值能量随 T_a 增加而减少,其减少速度对几种...
[期刊论文] 作者：白国仁,周健坤,陈建民,施天生,祁明维,谢雷鸣,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1987
在前文价键力场频率计算的基础上,本文利用MNDO量子化学方法对含氢硅单晶中2210cm~(-1)吸收峰对应缺陷复合体的两个模型(空位+4H,间隙硅烷),在氢氘混合气氛下各自产生的5种组态,12个红外活性的振动模式进行了振子强度计算.计算结果表明,空位+4H模型是可取的.根......
[期刊论文] 作者：吴晓初,朱健,施天生,祁明维,谭淞生,褚一鸣,,
来源：电子显微学报 年份：1990
氧沉淀吸杂工艺的应用使直拉硅中氧的沉淀及伴生缺陷的形成及其微观结构成为热门的研究课题。氮因有钉扎位错,增加硅片强度的作用而引起重视,并在实际应用中收到了良好...
[期刊论文] 作者：祁明维,施天生,白国仁,谢雷鸣,蔡培新,高集金,李石岭,
来源：半导体学报 年份：1986
N型中子辐照区熔硅单晶中,在与双空位(V_2~-)有关的2770cm~(-1)吸收峰的低频侧发现一组文献中从未报道过的新的吸收峰.对这组吸收峰的性质及其退火行为进行了研究.In the N...
[期刊论文] 作者：胡灿明,黄叶肖,叶红娟,沈学础,祁明维,邬建根,李晓雷,
来源：红外与毫米波学报 年份：1991
报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并...
[期刊论文] 作者：祁明维,谭淞生,朱斌,蔡培新,顾为芳,许学敏,施天生,阙端麟,
来源：半导体学报 年份：1991
我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始...
[期刊论文] 作者：李月珍,何焕南,赵关弟,严荣华,吕庆仁,祁明维,章家鼎,华芝芬,
来源：半导体学报 年份：1983
本文用氦载气熔化-气相色谱建立了红外吸收法测定硅单晶中间隙氧的标定曲线.由于熔化法中实验条件的控制和试样准备的改进,降低了空白,提高了数据的重现性,做出较可靠的标定...
[期刊论文] 作者：祁明维,谭淞生,朱斌,蔡培新,顾为芳,许学敏,施天生,阙端麟,李立本,
来源：半导体学报 年份：1991
我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始...
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