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[学位论文] 作者：祝令豪,
来源：河南理工大学 年份：2023
碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体材料,拥有许多优异的物理特性。随着实验技术的不断提高及理论研究的不断深入,SiC引起了人们极大的兴趣。但是由于传统稀磁半导体中的掺杂同时引入了空穴和自旋,无法实现自旋或者空穴的单掺杂对铁磁性的影响,所以新型稀磁半导体的研......
[期刊论文] 作者：林龙, 祝令豪, 徐永豪, 张志华, 陶华龙, 黄敬涛, 王,
来源：硅酸盐学报 年份：2004
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对本征6H-SiC和Si空位、C空位、N掺杂6H-SiC的电子结构及磁性进行了计算。计算结果表明:本征6H-SiC和单一的N掺杂6H-SiC均...
[期刊论文] 作者：林龙,王朋涛,余伟阳,黄敬涛,祝令豪,张战营,
来源：功能材料 年份：2019
基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了有毒气体CO在本征和Cu掺杂SnO2(110)面不同原子位的吸附,通过对吸附能的比较得出了最佳吸附位置及吸附结构。计算结果表明,本征SnO2...
[期刊论文] 作者：张明军, 黄敬涛, 林龙, 余伟阳, 徐永豪, 陶华龙, 祝令豪,
来源：硅酸盐学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：林龙, 祝令豪, 徐永豪, 张志华, 陶华龙, 黄敬涛, 王朋涛,
来源：硅酸盐学报 年份：2017
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[期刊论文] 作者：林龙,祝令豪,李先宏,张志华,何明,陶华龙,徐永豪,张战营,,
来源：中国有色金属学报 年份：2017
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究Co掺杂4H-SiC的电子结构和磁性。计算结果表明：Co掺杂引入了空穴,产生自旋极化。Co掺杂4H-SiC的价带顶和导带底分别由Co...
[期刊论文] 作者：林龙,祝令豪,李先宏,张志华,何明,陶华龙,徐永豪,张战营,,
来源：中国有色金属学报 年份：2017
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究Co掺杂4H-SiC的电子结构和磁性.计算结果表明:Co掺杂引入了空穴,产生自旋极化.Co掺杂4H-SiC的价带顶和导带底分别由Co的...
[期刊论文] 作者：林龙,陈瑞欣,黄敬涛,余伟阳,祝令豪,王朋涛,徐永豪,李立新,
来源：中国有色金属学报 年份：2020
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究本征LiNbO3晶体以及Fe、La掺杂LiNbO3的电子结构及光学性质。计算LiNbO3晶体在不同掺杂体系下的折射率、反射率、吸收...
[期刊论文] 作者：林龙,陈瑞欣,黄敬涛,余伟阳,祝令豪,王朋涛,徐永豪,李立新,郭艳,张战营,
来源：中国有色金属学报 年份：2020
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究本征LiNbO3晶体以及Fe、La掺杂LiNbO3的电子结构及光学性质.计算LiNbO 3晶体在不同掺杂体系下的折射率、反射率、吸收...
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