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[学位论文] 作者：程有光,,
来源： 年份：2008
氧化锌为直接宽带隙II-VI族化合物半导体材料,室温下禁带宽度3.37 eV,具有优良的可见光透过性;掺入Al施主,能有效改善其电学性能。因而,掺铝氧化锌(AZO)能作为一种性能优良的...
[期刊论文] 作者：陶亮,张道礼,梁延彬,程有光,,
来源：压电与声光 年份：2007
采用化学共沉淀法制备掺锑二氧化锡粉体（ATO），用x-射线衍射法和扫描电子显微镜对粉体粒度作了表征。系统研究了退火温度、反应体系pH值、掺锑量和煅烧温度等工艺参数对最终粉体......
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