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[学位论文] 作者：程润虹,
来源：华中科技大学 年份：2020
当今微电子产业的发展已进入后摩尔时代，硅基MOSFET受限于短沟道效应等因素，其等比例尺寸可能会在五年内停止缩小。碳纳米管(CNT)性能优异，CNTFET因低功耗和高集成度而受到广泛关注，被视为Si沟道最具潜力的替代者。为便于CNTFET电路的设计，建立与现有EDA平台如SPICE......
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