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[期刊论文] 作者：童一东,黄莉萍,
来源：硅酸盐学报 年份：1992
对Si-Al-Y-O-N系统气压烧结的致密氮化硅陶瓷的氧化研究表明,材料在1100～1400℃温度下氧化,符合抛物线氧化规律。在此温度范围内,氧化活化能为600～730kJ/mol。AlN的引入对材料...
[期刊论文] 作者：黄莉萍,童一东,
来源：硅酸盐学报 年份：1994
本研究应用热压工艺制备了致密ＳｉＣｗ／ＡｌＮ复合材料，其晶须的质量含量为１０％～３０％。当复合材料中晶须的质量含量达到３０％时，其弯曲强度增加了８５％，韧性提高了５０％。用ＳＥＭ和ＴＥＭ观察了材料的显微结构，指出弯曲强度增加是由......
[期刊论文] 作者：黄莉萍,童一东,
来源：无机材料学报 年份：1991
以一定重量配比(1∶1)的硅粉和氮化硅粉为原始粉料,加入适量的氮化钇等烧结助剂,通过控制工艺参数及N_2、H_2、Ar 气体的比例和流量,应用氮化—烧结技术,能制得致密的氮化硅...
[期刊论文] 作者：黄莉萍,童一东,
来源：上海硅酸盐 年份：1993
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