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[期刊论文] 作者：竺立强,,
来源：中国材料进展 年份：2017
类脑神经形态工程近年来正在成为信息领域的一个研究热点,将成为今后人工智能发展的有力补充和增长点,促进 微电子技术的发展.人脑中有-10^11个神经元和-10^15个突触连接,突...
[学位论文] 作者：竺立强,
来源：中国科学院合肥物质科学研究院 年份：2007
随着超大规模集成电路(ULSI)技术的快速发展，传统使用的SiO2栅介质层已将达到其应用的物理极限，寻找新的栅介质材料来代替传统使用的SiO2已成为当前研究的热点。在目前研究的高...
[会议论文] 作者：竺立强,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
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[期刊论文] 作者：郭延博,竺立强,
来源：中国物理B:英文版 年份：2020
Rapid developments in artificial intelligence trigger demands for perception and learning of external environments through visual perception systems.Neuromorphi...
[会议论文] 作者：万青,万昌锦,竺立强,施毅,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[期刊论文] 作者：李想,颜钟惠,刘阳辉,竺立强,
来源：材料导报 年份：2013
以三甲基铝（TMA）和水为反应源，采用原子层沉积（AID）技术在n型单晶硅表面沉积15nm、30nm和100nm的Al2O3薄膜，并对样品进行快速退火（RTA）处理。采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿......
[期刊论文] 作者：李久朋,马德伟,曹鸿涛,竺立强,李俊,李康,梁凌燕,张洪亮,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2017
本文基于单根ZnO纳米线（NW），采用一步掩膜的方法制备了Au／ZnONW／Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为，开关比可达10^5以上。低阻态具有半导体导电特性，推测忆阻行为可能来源于ZnONW......
[期刊论文] 作者：潘若冰,胡丽娟,曹鸿涛,竺立强,李俊,李康,梁凌燕,张洪亮,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2017
本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流（EPSC）,以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习-...
[期刊论文] 作者：潘若冰,胡丽娟,曹鸿涛,竺立强,李俊,李康,梁凌燕,张洪亮,高俊华,诸葛飞,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2017
本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习...
[期刊论文] 作者：李久朋,马德伟,曹鸿涛,竺立强,李俊,李康,梁凌燕,张洪亮,高俊华,诸葛飞,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2017
本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源...
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