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[学位论文] 作者：符梦笛,
来源：西安电子科技大学 年份：2017
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMTs）凭借高击穿电压、高电流密度、高热稳定性等优点被学术界和工业界广泛关注，在宽禁带半导体领域始终发挥着重要的作用。自2014年GaN基高亮度蓝光L......
[会议论文] 作者：符梦笛,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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