搜索筛选:
搜索耗时3.7914秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：缪文韬,
来源：西南科技大学 年份：2023
随着现代通信系统适用频率的提高,在射频与微波电路设计中需要更高指标的晶体管器件,而第三代半导体晶体管GaN HEMTs具有更高的电子饱和速率、更低的介电常数等优点。在不同生产工艺下的FET器件高频噪声机理的分析与表征存在明显的差异。为有效地表征GaN HEMTs......
相关搜索：
