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[学位论文] 作者:缪文韬,
来源:西南科技大学 年份:2023
随着现代通信系统适用频率的提高,在射频与微波电路设计中需要更高指标的晶体管器件,而第三代半导体晶体管GaN HEMTs具有更高的电子饱和速率、更低的介电常数等优点。在不同生产工艺下的FET器件高频噪声机理的分析与表征存在明显的差异。为有效地表征GaN HEMTs......
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