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[期刊论文] 作者：宗祥福,顾孝义,戚盛勇,神承复,罗林基,黄慧玲,俞桂贞,袁小莺,秦涛,杨灏,陈智生,
来源：电子学报 年份：1985
通过红外吸收测量、带电粒子活化分析及腐蚀后的金相观察,证实了经三步热处理退火后的CZ硅片,表面层氧外扩散而形成“清洁区”,体内氧沉淀形成高密度的缺陷区。采用中子活化...
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